收藏本站
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18060NR1 MRF6S18060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 1800 MHz
?50
?60
?65
?70
?75
1780
?80
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
1800 1820 1840 1860
Pout= 35 W Avg.
25 W Avg.
15 W Avg.
35 W Avg.
25 W Avg.
10 W Avg.
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
?55
1880 1900 1920
TC
= 25
C
?75
?45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
?50
?55
?60
?65
?70
10
Figure 23. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
20 30 40 50 60
TC
= 25
C
?85
?60
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
?70
?75
?80
10
Figure 24. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
20 30 40 50 60
?65
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
EDGE Modulation
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF6S18100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704
MRF6S18140HSR5 MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S
MRF6S19060GNR1 MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
MRF6S19100GNR1 MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW
MRF6S19100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF6S19120HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
MRF6S19140HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S
MRF6S19200HSR5 MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S
相关代理商/技术参数
MRF6S18060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18100NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18100NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray